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半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)分析與評價

簡要描述:廣電計量提供半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)分析與評價服務(wù),提供半導(dǎo)體材料元素成分分析,結(jié)構(gòu)分析,微觀形貌分析測試服務(wù),CNAS資質(zhì)認(rèn)可,幫助客戶全面了解半導(dǎo)體材料理化特性.

  • 廠商性質(zhì):工程商
  • 更新時間:2024-11-06
  • 訪問次數(shù):873

詳細(xì)介紹

品牌廣電計量服務(wù)范圍全國
服務(wù)周期常規(guī)5-7個工作日服務(wù)資質(zhì)CMA/CNAS
服務(wù)費用視具體項目而定

服務(wù)范圍

廣電計量提供半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)分析與評價服務(wù)范圍:半導(dǎo)體材料、有機小分子材料、高分子材料、有機/無機雜化材料、無機非金屬材料。

檢測項目

(1)半導(dǎo)體材料元素成分分析:EDS 元素分析,X 射線光電子能譜(XPS)元素分析;

(2)半導(dǎo)體材料分子結(jié)構(gòu)分析:FT-IR 紅外光譜分析,X 射線衍射(XRD)光譜分析,核磁共振波普分析(H1NMR、C13NMR);

(3)半導(dǎo)體材料微觀形貌分析:雙束聚焦離子束(DB FIB)切片分析,場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)微觀形貌量測與觀察,原子力顯微鏡(AFM)表面形貌觀察。

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

服務(wù)背景

隨著大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展,芯片制程工藝日趨復(fù)雜,半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)及成分異常阻礙著芯片良率的提高,為半導(dǎo)體及集成電路新工藝的實施帶來了極大的挑戰(zhàn)。廣電計量提供半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)分析與評價服務(wù)。

我們的優(yōu)勢

(1)芯片晶圓級剖面制備及電子學(xué)分析,基于聚焦離子束技術(shù)(DB-FIB),對芯片局部區(qū)域進(jìn)行精確切割,并實時進(jìn)行電子學(xué)成像,可得到芯片剖面結(jié)構(gòu),成分等重要工藝信息;

(2)半導(dǎo)體制造相關(guān)材料理化特性分析,包括有機高分子材料、小分子材料、無機非?屬材料的成分分析、分子結(jié)構(gòu)分析等;

(3)半導(dǎo)體物料污染物分析方案的制定與實施??蓭椭蛻羧媪私馕廴疚锏睦砘匦裕ǎ夯瘜W(xué)成分組成分析、成分含量分析、分子結(jié)構(gòu)分析等物理與化學(xué)特性分析。

應(yīng)的衍射斑點,其晶面間距有所不同;也就是說雖然都是fcc結(jié)構(gòu),但是其晶格參數(shù)(fcc晶胞的a值)不同,表明其是不同的工藝所得。尤其是區(qū)域2(綠色框)和區(qū)域3(黃色框)的晶格參數(shù)差異,表明該裂紋是在不同工藝的Cu的界面產(chǎn)生。


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